屏蔽器的材料一般采用金属板材或型材,其厚度应大于电流穿透深度的4倍(在加热频率下,对屏蔽材料而言)。只有这样,才能吸收全部的散射磁场。从第二章的讨论中可得知,电流穿透深度与电阻率的材料作屏蔽装置。加热频率在10kHZ时,厚度主2.5mm的铜板可以进行有效的屏蔽,而在加热频率为45KHZ时,用较薄的铜板,如0.61mm就可以。
在电磁场中,屏蔽器吸收功率是其导磁率和电阻率的函数。铜的导磁率U=1。在相同的磁场中,铜与低磁场中,铜与低碳钢相比,其吸收功率大约少30-50倍,尽管如此,它仍然要吸收部分功率,因此,有些场合屏蔽器仍然需要水冷。
大多数屏蔽器象磁通限制器一样只形成小的涡流环路,磁场对屏蔽的影响小。加热线圈两端加屏蔽板是这种形式的典型应用,它用于屏蔽锻造生产线上相邻感应器以消除相互间的影响。这种端板屏蔽器由非磁性不锈钢制成,在结构设计上考虑破坏涡流回路,例如在其表面开槽等方法加大涡流环路、增大屏蔽器阻抗、减小感生电流,这样使得屏蔽器发热最小。
屏蔽器也可用于工件淬火处理中,防止相邻的非加热部分受高强度磁场的影响。例如:通常用铜制屏蔽器保护齿轮的齿部不被回火,同样,套环状屏蔽器用来保护轴的凸缘部分被淬火。
在大直径感应线圈中,还可以采用分割涡流环路的方法来设计屏蔽器,以减小线圈端部的热效应。实际应用中,放置在感应线圈端部的圆筒状屏蔽器并非短接成环状来消除磁场,而是分隔开安装的。这种形式的线圈和屏蔽器通常装在大型钢腔内,用于真空烧结或空气中的烧结处理工艺。在这种情况下,钢腔也可能被周围磁场加热。高导磁率的硅钢片磁通集流器也可用在此处,以减小磁场对腔体的影响。在线圈与腔体内部空间装有与线圈高度相等的薄片层叠体这种片状体在此作为磁通导向器,便磁通由腔壁反射回去。
射频应用中的屏蔽器在要求上有些不同,因为射频电波以直线传输,因此屏蔽器不能有间隙,面必须完全包围着载流导体。铜或铝制的屏蔽器应该完全包围着载流导体,传输线或高阻抗线圈,而不能有间隙。屏蔽器的表面连结既要掌握好连结的角度又要在连结处加上导电用垫片并加上若干连结螺钉,只有这样,才能保证蔽屏器的导电性能良好。
在电磁场中,屏蔽器吸收功率是其导磁率和电阻率的函数。铜的导磁率U=1。在相同的磁场中,铜与低磁场中,铜与低碳钢相比,其吸收功率大约少30-50倍,尽管如此,它仍然要吸收部分功率,因此,有些场合屏蔽器仍然需要水冷。
大多数屏蔽器象磁通限制器一样只形成小的涡流环路,磁场对屏蔽的影响小。加热线圈两端加屏蔽板是这种形式的典型应用,它用于屏蔽锻造生产线上相邻感应器以消除相互间的影响。这种端板屏蔽器由非磁性不锈钢制成,在结构设计上考虑破坏涡流回路,例如在其表面开槽等方法加大涡流环路、增大屏蔽器阻抗、减小感生电流,这样使得屏蔽器发热最小。
屏蔽器也可用于工件淬火处理中,防止相邻的非加热部分受高强度磁场的影响。例如:通常用铜制屏蔽器保护齿轮的齿部不被回火,同样,套环状屏蔽器用来保护轴的凸缘部分被淬火。
在大直径感应线圈中,还可以采用分割涡流环路的方法来设计屏蔽器,以减小线圈端部的热效应。实际应用中,放置在感应线圈端部的圆筒状屏蔽器并非短接成环状来消除磁场,而是分隔开安装的。这种形式的线圈和屏蔽器通常装在大型钢腔内,用于真空烧结或空气中的烧结处理工艺。在这种情况下,钢腔也可能被周围磁场加热。高导磁率的硅钢片磁通集流器也可用在此处,以减小磁场对腔体的影响。在线圈与腔体内部空间装有与线圈高度相等的薄片层叠体这种片状体在此作为磁通导向器,便磁通由腔壁反射回去。
射频应用中的屏蔽器在要求上有些不同,因为射频电波以直线传输,因此屏蔽器不能有间隙,面必须完全包围着载流导体。铜或铝制的屏蔽器应该完全包围着载流导体,传输线或高阻抗线圈,而不能有间隙。屏蔽器的表面连结既要掌握好连结的角度又要在连结处加上导电用垫片并加上若干连结螺钉,只有这样,才能保证蔽屏器的导电性能良好。
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